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技術(shù)文章

Technical articles

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  • 20207-24
    掃描電鏡超導(dǎo)碳黑的特征觀察

    為超導(dǎo)碳黑的進(jìn)一步鑒別、研究及碳紙各屬間親緣關(guān)系的鑒定提供依據(jù)。[方法]應(yīng)用掃描電鏡對超導(dǎo)碳黑進(jìn)行磁控濺射(鄭州科探)-Ag/碳紙(30mA+2min磁控濺射(鄭州科探)-Ag/碳紙(30mA+2min)磁控濺射(鄭州科探)-Ag/碳紙(30mA+4min磁控濺射(鄭州科探)-Ag/碳紙(60mA+4min)進(jìn)行觀察。[結(jié)果]在不同時間的線性規(guī)律性挺好根據(jù)這個表證結(jié)果我還想用PT靶濺射在碳材料上在里面加一個磁場,這樣表面氧化物有機(jī)薄膜。

  • 20207-13
    石英管真空封管機(jī)步驟和原理

    第1步,石英管縮頸抽真空后開始燒結(jié)縮頸,縮頸部位燒至凹陷即可Step1:SilicatubeneckingFrittheneckingafterthevacuumizinguntiltheneckingpartgetssunken第2步,裝樣裝石英柱將樣品裝入石英管,將石英柱下滑至縮頸處卡住Step2:SilicacolumnsampleloadingPutthesampleintosilicatubesandslidethesilicacolumntotheneckingf...

  • 20207-6
    等離子清洗機(jī)的優(yōu)勢滿滿

    等離子體是物質(zhì)的一種存在狀態(tài),通常物質(zhì)以固態(tài)、液態(tài)、氣態(tài)3種狀態(tài)存在,但在一些特殊的情況下可以以第四種狀態(tài)存在,如太陽表面的物質(zhì)和地球大氣中電離層中的物質(zhì)。這類物質(zhì)所處的狀態(tài)稱為等離子體狀態(tài),又稱為物質(zhì)的第四態(tài)。由于等離子體中的電子、離子和自由基等活性粒子的存在,其本身很容易與固體表面發(fā)生反應(yīng)。等離子體清洗主要是依靠等離子體中活性粒子的“活化作用”達(dá)到去除物體表面污漬的目的。與濕法清洗相比,等離子清洗機(jī)的優(yōu)勢表面在以下幾個方面:1、在經(jīng)過等離子清洗之后,被清洗物體已經(jīng)很干燥,...

  • 20205-11
    氣體質(zhì)量流量控制器的自我診斷技術(shù)

    1.自我診斷技術(shù)自我診斷技術(shù)是在不停機(jī)或基本不拆機(jī)的情況下,通過各種檢測分析來判斷設(shè)備狀態(tài)是否正常,異常或故障的原因、部位、程度以及壽命的預(yù)測。自我診斷技術(shù)的主要作用是獲得設(shè)備的結(jié)果狀態(tài)信息,即根據(jù)設(shè)備在各種工況下,表現(xiàn)出來的精度超差,零點(diǎn)漂移,內(nèi)漏等所有狀態(tài)信息的綜合分析來識別產(chǎn)品的狀態(tài)、異常類型和異常的嚴(yán)重程度,其本質(zhì)是一個包含信號采集、信息提取、信息綜合、故障識別和信息利用的過程。自我診斷的目標(biāo)是確保產(chǎn)品在功能、精度、效率和可靠性方面均能穩(wěn)定運(yùn)行2.自我診斷技術(shù)在氣體質(zhì)...

  • 20204-28
    快速退火爐系統(tǒng)設(shè)計與實(shí)現(xiàn)

    快速退火爐是現(xiàn)代大規(guī)模集成電路生產(chǎn)工藝過程中的關(guān)鍵裝備主要用于離子注入后雜質(zhì)的激活、淺結(jié)制作、生長高質(zhì)量的氧化膜層和金屬硅化物合金形成等工藝。隨著集成電路工藝技術(shù)的飛速發(fā)展,開展快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)研究,對國內(nèi)開發(fā)和研究具有自主知識產(chǎn)權(quán)的快速退火爐裝備,有著十分重要的理論意義和工程應(yīng)用價值。本文針對現(xiàn)代半導(dǎo)體器件退火工藝對快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)要求,在綜合分析國內(nèi)外各種快速退火爐系統(tǒng)技術(shù)基礎(chǔ)上,通過深入的分析研究,設(shè)計了系統(tǒng)總體技術(shù)方案。擬定采用燈光輻射型熱源裝置,上下兩排成正...

  • 20204-21
    PVD制備K型薄膜熱電偶的研究

    熱電偶元件是在工業(yè)、科研中廣泛使用的一種溫度傳感器,具有測溫范圍廣,堅固耐用,無自發(fā)熱現(xiàn)象,使用方便等優(yōu)點(diǎn)。薄膜熱電偶除了繼承上述普通熱電偶的優(yōu)點(diǎn)外,還具有熱容小,響應(yīng)速度快,幾乎不占用空間,對被測物體影響小的優(yōu)點(diǎn)。本研究為制備K型薄膜熱電偶選擇了電子束蒸發(fā)鍍,磁控濺射,多弧離子鍍?nèi)NPVD方法。其中一部分樣片的NiCr/NiSi薄膜均由磁控濺射均由磁控濺射沉積,另一部分樣片的NiCr薄膜由磁控濺射沉積,而NiSi薄膜由電子束蒸發(fā)沉積。所制備得到的薄膜熱電偶樣片使用SEM(E...

  • 20204-17
    掃描探針顯微鏡多功能組合探針系統(tǒng)研制

    掃描探針顯微鏡是目前一種用途廣泛的表面分析儀器,它不僅廣泛應(yīng)用于物理、化學(xué)、生物、醫(yī)學(xué)等基礎(chǔ)研究領(lǐng)域,還在微納制造和微電子等的應(yīng)用研究領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而,目前商業(yè)化的掃描探針顯微鏡主要為單一探針的工作模式,其功能相對單一,難以實(shí)現(xiàn)一些較為復(fù)雜的實(shí)驗及檢測功能。例如,在特殊環(huán)境下(如真空或輻射環(huán)境)的微觀磨損實(shí)驗中,若采用單一探針模式,在完成磨損實(shí)驗后,需要更換曲率半徑更小的針尖才能對表面磨損區(qū)域進(jìn)行原位的高分辨形貌掃描與觀測。然而,在更換針尖的過程中,微觀磨損...

  • 20204-17
    磁控濺射沉積系統(tǒng)設(shè)計

    針對光學(xué)和介電功能薄膜制備中的離化率低和靶面污染問題,設(shè)計了一種磁控濺射沉積系統(tǒng),系統(tǒng)包括磁控濺射靶裝置、等離子體源和陽極清洗裝置。主要結(jié)論有:(1)在磁控濺射靶裝置設(shè)計中,采用磁流體密封替代橡膠軸承密封,提高了靶裝置的密封性,極限真空度可達(dá)10-6Pa;采用旋轉(zhuǎn)磁鋼代替固定磁鋼,使靶材的利用率從30%提高到60%,同時避免了靶裝置在預(yù)先清洗時的污染;設(shè)計了靶裝置的驅(qū)動端,完成了電機(jī)、傳動裝置和軸承的選型。(2)設(shè)計等離子體源來改善沉積系統(tǒng)離化率不足的問題。選擇0.2mm鎢絲...

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