技術(shù)文章
Technical articles磁控濺射技術(shù)原理及應(yīng)用簡介一、磁控濺射原理磁控濺射是一種常用的物理氣相沉積（PVD）的方法，具有沉積溫度低、沉積速度快、所沉積的薄膜均勻性好，成分接近靶材成分等眾多優(yōu)點。傳統(tǒng)的濺射技術(shù)的工作原理是：在高真空的條件下，入射離子（Ar+）在電場的作用下轟擊靶材，使得靶材表面的中性原子或分子獲得足夠動能脫離靶材表面，沉積在基片表面形成薄膜。但是，電子會受到電場和磁場的作用，產(chǎn)生漂移，因而導(dǎo)致傳濺射效率低，電子轟擊路徑短也會導(dǎo)致基片溫度升高，為了提高濺射效率，在靶下方安裝強(qiáng)磁鐵，中央...
真空加熱腔體在真空柜的外殼內(nèi)設(shè)置由板片制造的腔體，該腔體具有容室，前方具有開口，在開口處設(shè)置蓋板，該蓋板可蓋合開口，該腔體連設(shè)抽氣裝置，可抽取腔體內(nèi)的氣體，該腔體容室位置為柱狀弧形體；藉此當(dāng)抽取本實用新型腔體內(nèi)氣體時，因腔體不具有平面及端角，可使腔體不同位置平均承受真空負(fù)壓，防止腔體產(chǎn)生變形，本實用新型腔體板片厚度可小于現(xiàn)有腔體板片厚度即可具防止腔體變形功效，具有減小成本及重量的功效，且可便于焊接加工，具有較佳制造便利性。真空加熱腔體相變換熱原理：燃燒器將燃料充分燃燒，熱量經(jīng)...
手動探針臺主要應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)、光電行業(yè)、集成電路以及封裝的測試。廣泛應(yīng)用于復(fù)雜、高速器件的精密電氣測量的研發(fā)，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時間和器件制造工藝的成本。探針臺可吸附多種規(guī)格芯片，并提供多個可調(diào)測試針以及探針座，配合測量儀器可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及電容電壓特性曲線等參數(shù)檢測。適用于對芯片進(jìn)行科研分析，抽查測試等用途。手動探針臺維護(hù)和保養(yǎng)：1.避免碰撞：在安裝，操作手動探針臺時應(yīng)避免碰撞，機(jī)體放置需平坦，不可傾斜或橫倒，避免機(jī)器發(fā)生故障或異常異音。2...
質(zhì)量流量計為何要進(jìn)行穩(wěn)壓補(bǔ)償常用的流量計大多只能夠直接測量流體的體積，并不能直接測量質(zhì)量，如果只測量流體在當(dāng)前工況下的體積時，質(zhì)量流量計儀表可以直接顯示出來。但是如果要求流量計顯示為流體質(zhì)量時，需要通過計算即時采樣的流體體積參數(shù)與密度參數(shù)相乘的積而得出結(jié)果(質(zhì)量=密度X體積)而并非直接測量出流體的質(zhì)量。質(zhì)量流量計作為流量儀表，它測量出來的數(shù)據(jù)一定要準(zhǔn)確，如果要測量流體的質(zhì)量時就涉及到一個問題：就是流體的密度是否恒定。如果流體的密度始終如一，那么只要把流體的密度參數(shù)固定在儀表上...
氣體配比器是為氣體分析、測試類儀器的標(biāo)定、校準(zhǔn)和檢測的需求而開發(fā)的產(chǎn)品，能實時配制不同種類、不同濃度的的氣體。很多場合包括實驗室、環(huán)保企業(yè)、生物制藥、環(huán)境監(jiān)測、煙氣分析、煤礦冶金等。是對已知標(biāo)準(zhǔn)濃度的氣體進(jìn)行稀釋，氣體稀釋儀根據(jù)質(zhì)量流量混合法，通過程序控制、實現(xiàn)全自動智能數(shù)字化氣體稀釋儀，其所有核心部件是質(zhì)量流量控制器(MFC），這種裝置質(zhì)量可靠、是一種高精度、高分辨率的氣體稀釋系統(tǒng)。使用多個質(zhì)量流量控制器準(zhǔn)確控制流量，可動態(tài)稀釋高濃度氣體標(biāo)準(zhǔn)樣品至所需低濃度樣品，也可單獨控...
纖維（Fiber）是由連續(xù)或不連續(xù)的細(xì)絲組成的物質(zhì)，可分為天然纖維和化學(xué)纖維。這兩大類纖維被廣泛應(yīng)用于紡織[1]、環(huán)保[3]、生物醫(yī)療[4]等多個領(lǐng)域。由于纖維材料的表面物理形態(tài)和化學(xué)結(jié)構(gòu)是決定材料性能的主要因素，通常需要利用相關(guān)的顯微設(shè)備去觀察纖維表面的微觀形貌等信息，從而去判斷纖維材料的基本性能。掃描電子顯微鏡作為一種常規(guī)的微觀表征設(shè)備，其具有放大倍數(shù)大、分辨率高、景深大、圖像清晰、立體感強(qiáng)等優(yōu)點，當(dāng)掃描電鏡搭載能譜儀后還可以用于表征纖維成分信息，這在纖維的研發(fā)和生產(chǎn)中發(fā)...
小型濺射儀的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會受到電場和磁場作用，產(chǎn)生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似一條擺線。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表...
問：1.質(zhì)量流量控制器，為什么以SCCM和SLM為單位？答：從測量原理講，熱式質(zhì)量流量計是通過利用氣體的比熱與密度，采用毛細(xì)管溫差量熱法進(jìn)行測量，流量控制器測量的就是質(zhì)量流量，但顯示出的數(shù)值是通用的標(biāo)況（101325Pa;0℃）體積流量。由于一般氣體的密度都指標(biāo)況下的密度，因此直接用體積乘以密度就可以得到所通過氣體的質(zhì)量。SCCM與SLM為體積流量的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)單位，代表標(biāo)況下的體積流量。SLM（StandardLiterperMinute）是表示每分鐘標(biāo)準(zhǔn)升。SCCM（Stan...
當(dāng)前位置：
