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產(chǎn)品中心材料樣品處理小型濺射儀KT-Z1650CVD高純度金靶材磁控濺射儀
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
不同的蒸發(fā)速率下沉積300nm的Au薄膜,研究蒸發(fā)速率對(duì)薄膜表面形貌和性能的影響。隨著蒸發(fā)速率的提高,薄膜的結(jié)構(gòu)變得致密,晶粒尺寸和表面粗糙度減小。高純度金靶材磁控濺射儀KT-Z1650PVD在較短時(shí)間內(nèi)即可形成具有細(xì)粒度的均勻薄膜，儀器結(jié)構(gòu)緊湊，全自動(dòng)控制，設(shè)計(jì)符合人體工程學(xué)。
| 品牌 | 鄭科探 | 濺射氣體 | 根據(jù)需求氣體 |
|---|---|---|---|
| 樣品臺(tái)尺寸 | φ50mm | 控制方式 | 觸摸屏智能控制 |
| 樣品倉(cāng)尺寸 | φ160x160mm | 靶材尺寸 | 50mm |
| 靶材材質(zhì) | 金 鉑 銅 銀 | 價(jià)格區(qū)間 | 1-5萬(wàn) |
| 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,電子 |
高純度金靶材磁控濺射儀
在不同的蒸發(fā)速率下沉積300nm的Au薄膜,研究蒸發(fā)速率對(duì)薄膜表面形貌和性能的影響。隨著蒸發(fā)速率的提高,薄膜的結(jié)構(gòu)變得致密,晶粒尺寸和表面粗糙度減小。金薄膜方阻隨著蒸發(fā)速率提高無(wú)明顯變化,而方阻均勻性變差,但在可接受的范圍內(nèi)。但蒸發(fā)速率過(guò)高會(huì)引起金屬大顆粒增多。因此,選用適合的蒸發(fā)速率對(duì)Au膜質(zhì)量有很大影響。
高純度金靶材
應(yīng)用領(lǐng)域：
離子濺射儀在掃描電鏡中應(yīng)用十分廣泛，通過(guò)向樣品表面噴鍍金、鉑、鈀及混合靶材等金屬消除不導(dǎo)電樣品的荷電現(xiàn)象，并提高觀測(cè)效率，另外可以使用噴碳附件對(duì)樣品進(jìn)行蒸碳，實(shí)現(xiàn)不導(dǎo)電樣品的能譜儀元素定性和半定量分析。
高純度金靶材磁控濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應(yīng)技術(shù)參數(shù)；
控制方式 | 7寸人機(jī)界面 手動(dòng) 自動(dòng)模式切換控制 |
濺射電源 | 直流濺射電源 |
鍍膜功能 | 0-999秒5段可變換功率及擋板位和樣品速度程序 |
功率 | ≤1000W |
輸出電壓電流 | 電壓≤1000V 電流≤1A |
真空 | 機(jī)械泵 ≤5Pa（5分鐘） 分子泵≤5*10^-3Pa |
濺射真空 | ≤30Pa |
擋板類型 | 電控 |
真空腔室 | 石英+不銹鋼腔體φ160mm x 170mm |
樣品臺(tái) | 可旋轉(zhuǎn)φ62 （可安裝φ50基底） |
樣品臺(tái)轉(zhuǎn)速 | 8轉(zhuǎn)/分鐘 |
樣品濺射源調(diào)節(jié)距離 | 40-105mm |
真空測(cè)量 | 皮拉尼真空計(jì)（已安裝 測(cè)量范圍10E5Pa 1E-1Pa） |
預(yù)留真空接口 | KF25抽氣口 KF16放氣口 6mm卡套進(jìn)氣口 |
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